商品の詳細:
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下水管源の電圧: | 40ボルト | ゲート源の電圧: | ±20V |
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最高の電力損失: | 2w | 脈打った下水管の流れ: | 30A |
速やかな切り替え速度: | そうだ | 形状: | 平方 |
ハイライト: | 高い流れmosfetの運転者,pwm mosfetの運転者 |
JY13M BLDCモータードライバのためのNとPチャネル40VMOSFET
一般的な説明
JY13Mは,NとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタです
優れたRを供給することができますDS (オン)補完的な
MOSFETはHブリッジ,インバーター,その他のアプリケーションで使用できる.
特徴
装置 | VBR(DSS) | RDS (オン) マックスTJ=25°C | パッケージ |
Nチャンネル | 40V | < 30mΩ@VGS=10V,ID=12A | TO252-4L |
<40mΩ@VGS=4.5V,ID=8A | |||
Pチャンネル | -40V | < 45mΩ@VGS=-10V,ID=-12A | |
<66mΩ@VGS=−4.5V,ID=−8A |
● 入力容量 の 低さ
● 快速 に 切り替える
絶対最大値 (Ta=25°C) ほかには記載がない場合)
パラメータ | シンボル | Nチャンネル | Pチャンネル | ユニット | |
排気源電圧 | VDSS | 40 | -40歳 | V | |
ゲートソース電圧 | VDSS | ±20 | ±20 | ||
連続 排水電流 |
タ=25oC について | 私はD | 12 | -12 | A について |
タ=100oC について | 12 | -12 | |||
パルスドレイン電流 | 私はDM | 30 | -30歳 | ||
最大電源 消化 |
タ=25oC について | PD | 2 | W | |
Ta=70oC について | 1.3 | ||||
交差点 と 貯蔵 温度範囲 |
TJTSTG | -55から150 | oC について | ||
熱耐性 アムビントへの交差点 |
RθJA | 10s | 25 | oC/W | |
安定して | 60 | ||||
熱耐性 ケースへの交差点 |
RθJC | 5.5 | 5 | oC/W |
電気特性 (Ta=25°C 違いに記載がない限り)
シンボル | パラメータ | 条件 | ミニ | タイプ | マックス | ユニット | |
静的 | |||||||
VGS (th) | ゲートスリージングル 電圧 |
VDS=VGS私は...D=250uA | N-Ch | 1.7 | 2.5 | 3.0 | V |
VDS=VGS私は...D=-250uA | P-Ch | - 1つ7 | -2 | - 3つ0 | |||
私はGSS | ゲート漏れ 流動 |
VDS=0V,VGS=±20V | N-Ch | ±100 | nA | ||
P-Ch | ±100 | ||||||
私はDSS | ゼロゲート電圧 排水電流 |
VDS=40V,VGS=0V | N-Ch | 1 | uA | ||
VDS=-40V,VGS=0V | P-Ch | -1 | |||||
私はD ((ON) | 状態中の排水 流動 |
VDS=5V,VGS=10V | N-Ch | 30 | A について | ||
VDS=-5V,VGS=10V | P-Ch | -30歳 | |||||
RDS (オン) | 排水源 状態状態 抵抗力 |
VGS=10V,ID=12A | N-Ch | 24 | 30 | mΩ | |
VGS=-10V,ID=-12A | P-Ch | 36 | 45 | ||||
VGS=4.5V,ID=8A | N-Ch | 31 | 40 | ||||
VGS=−4.5V,ID=-8A | P-Ch | 51 | 66 | ||||
VSD | 前向きダイオード 電圧 |
私はS=1.0A,VGS=0V | N-Ch | 0.76 | 1.0 | V | |
私はS=-1.0A,VGS=0V | P-Ch | -0だった76 | - 1つ0 |
ダウンロード JY13M ユーザーマニュアル
コンタクトパーソン: Ms. Lisa
電話番号: +86-18538222869