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高圧BLDCモーター運転者MOSFET 210W力の切換えの適用

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高圧BLDCモーター運転者MOSFET 210W力の切換えの適用

高圧BLDCモーター運転者MOSFET 210W力の切換えの適用
高圧BLDCモーター運転者MOSFET 210W力の切換えの適用 高圧BLDCモーター運転者MOSFET 210W力の切換えの適用

大画像 :  高圧BLDCモーター運転者MOSFET 210W力の切換えの適用

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: JUYI
モデル番号: JY11M
お支払配送条件:
最小注文数量: 1 セット
価格: Negotiable
パッケージの詳細: PE bag+ のカートン
受渡し時間: 5-10 日
支払条件: T ・ T、L ・ C、ペイパル
供給の能力: 1000sets/day

高圧BLDCモーター運転者MOSFET 210W力の切換えの適用

説明
下水管源の電圧: 100 ボルト ゲート源の電圧: ±20V
最高の電力損失: 210W 脈打った下水管の流れ: 395A
高電圧: はい 逆ボディ回復: はい
ハイライト:

pwm mosfetの運転者

,

mosfetの段階的な運転者

 

JY11M Nチャネルの強化モード力MOSFET

 

 

概説


JY11Mは高い細胞を達成するのに最も最近の堀の加工の技巧を利用します
密度は高く反復的ななだれの評価のオン抵抗を減らし。これら
特徴はこの設計に非常に有効な、信頼できる装置をのためのするために結合します
力の切換えの適用および他のいろいろ適用の使用。


特徴


● 100V/110A、RDS () =6.5MΩ@VGS=10V
●の速い切換えおよび逆ボディ回復
●の十分に特徴付けられたなだれの電圧および流れ
よい熱放散のための●の優秀なパッケージ


適用
●の切換えの適用
●の懸命に転換された高周波回路
インバーター システムのための●力管理

 

絶対最高評価(通知がなければTc=25ºC)

記号 変数 限界 単位
VDS 下水管源の電圧 100 V
VGS ゲート源の電圧 ± 20 V
ID 連続的な下水管
現在
Tc=25ºC 110 A
Tc=100ºC 82
IDM 脈打った下水管の流れ 395 A
PD 最高の電力損失 210 W
TJ TSTG 作動の接続点および保管温度
範囲
-55から+175 ºC
RθJC 場合への熱抵抗接続点 0.65 ºC/W
RθJA 包囲されたへの熱抵抗接続点 62

 


電気特徴(通知がなければTa=25ºC)

記号 変数 条件 Typ 最高 単位
静特性
BVDSS 下水管源
絶縁破壊電圧
VGS =0V、IDS =250UA 100 V
IDSS ゼロ ゲートの電圧
流れを流出させて下さい
VDS =100V、VGS =0V 1 uA
IGSS ゲート ボディ漏出
現在
VGSの=± 20V、VDS =0V ± 100 nA
VGS (Th) ゲートの境界
電圧
VDS = VGSIDS =250UA 2.0 3.0 4.0 V
RDS () 下水管源
オン州の抵抗
VGS =10V、IDS =40A 6.5
gFS 前方
相互コンダクタンス
VDS =50V、IDS =40A 100 S

高圧BLDCモーター運転者MOSFET 210W力の切換えの適用 0
 



ダウンロードJY11Mの利用者マニュアル

高圧BLDCモーター運転者MOSFET 210W力の切換えの適用 1 JY11M.pdf

 

連絡先の詳細
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

コンタクトパーソン: Lisa

電話番号: +8618538222869

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